왼쪽부터 최태원 SK그룹 회장과 TSMC 웨이저자 회장(이미지=SK그룹)

SK그룹과 SK하이닉스는 반도체 위탁생산(파운드리) 기업인 TSMC와 만나 AI 반도체 경쟁력 강화를 위해 양사 협력을 한층 강화하기로 했다.

SK하이닉스는 HBM4(6세대 HBM) 개발과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 지난 4월 TSMC와 기술 협력에 대한 양해각서(MOU)를 체결한 바 있다. 이를 통해 베이스 다이(Base Die) 생산에 TSMC의 로직(Logic) 선단 공정을 활용한 HBM4를 2025년부터 양산할 계획이다.

※ 베이스 다이(Base Die): GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행하는 다이. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어진다.

또한 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 CoWoS® 기술 결합도 최적화하고, HBM 관련 고객들의 요청에도 공동 대응하기로 했다.

※ CoWoS(Chip on Wafer on Substrate): TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유 공정으로, 인터포저(Interposer)라는 특수 기판 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식이다. 수평(2D) 기판 위에서 로직 칩과 수직 적층(3D)된 HBM이 하나로 결합하는 형태라 2.5D 패키징으로도 불린다.

SK그룹 최태원 회장의 AI 및 반도체 분야 글로벌 협력을 위한 광폭 행보는 지난해 연말부터 계속되고 있다. 지난해 12월에는 극자외선(EUV) 노광장비 생산기업인 네덜란드 ASML 본사를 찾아 SK하이닉스와 기술협력 방안(EUV용 수소 가스 재활용 기술 및 차세대 EUV 개발)을 끌어냈다. 한국 AI/반도체 산업과 SK 사업 경쟁력 강화를 위해 글로벌 협력 네트워크를 구축하는 것이 중요하다는 판단에 따른 것이다.